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厂商型号

JANTX1N5611 

产品描述

Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G

内部编号

253-JANTX1N5611

生产厂商

microsemi

MICROSEMI

#1

期货
7 ¥793.662

订购说明

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JANTX1N5611产品详细规格

规格书 JANTX1N5611 datasheet 规格书
JANTX1N5611 datasheet 规格书
XPackage 2G
Package 2G-MELF
Packaging Bulk
Configuration Single
Direction Type Bi-Directional
Peak Pulse Power Dissipation 1500 W
Maximum Peak Pulse Current 23.2 A
Maximum Reverse Leakage Current 5 uA
Maximum Clamping Voltage 64.6 V
Maximum Reverse Stand-off Voltage 35.8 V
Minimum Breakdown Voltage 44.7 V
Test Current 25 mA
包装 2Case G
配置 Single
方向类型 Uni-Directional
峰值脉冲功率耗散 1500 W
最大峰值脉冲电流 24 A
最大反向漏泄电流 5 uA
最大钳位电压 63.5 V
最大反向防区外电压 40.3 V
最小击穿电压 43.7 V
测试电流 1 mA
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
供应商封装形式 Case G
标准包装名称 Case G
每个芯片的元件数 1
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 175
最小击穿电压 43.7
最大反向漏泄电流 5
Package Diameter 4.7(Max)
最大钳位电压 63.5
筛选等级 Military
Maximum Reverse Stand-Off Voltage 40.3
最大峰值脉冲电流 24
PCB 2
包装长度 4.95(Max)
最低工作温度 -55
测试电流 1
引脚数 2
峰值脉冲功率耗散 1500

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